TYPE-C電源適配器的失效分析方法五
紅外顯微鏡分析技術(shù)
紅外顯微鏡的結(jié)構(gòu)與金相顯微鏡相似，但紅外顯微鏡采用接近紅外腐蝕源作為光源，并用紅外成像進行觀察的分析技術(shù)。由于TYPE-C電源適配器所使用的半導體材料主要由鍺和硅等組成，鍺和硅等材料及薄金屬層對紅外光是透明的，所以紅外顯微鏡具有金相顯微鏡所無法比擬的優(yōu)點。利用紅外顯微鏡，不用剖開器件內(nèi)部就能觀察到芯片內(nèi)部的缺陷和芯片焊接情況。紅外顯微鏡特別適合塑膠封裝半導體器件的失效分析。
紅外顯微鏡分析法是利用紅外顯微技術(shù)對微電子器件的微小面積進行高精度非接觸測溫的方法。器件的工作情況及失效會通過熱效應(yīng)反映出來，例如，器件設(shè)計不恰當、材料缺陷及工藝差錯等都會造成器件內(nèi)部溫度不均勻，局部小區(qū)域溫度比平均溫度高得多，這種集中熱點直接影響器件的安全使用和壽命。找出這些熱點，并用非接觸式方法高精度地測出溫度，對于TYPE-C電源適配器產(chǎn)品的合理設(shè)計、制造工藝流程控制及失效分析和可靠性檢驗等，都具有十分重要的意義。
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